本文件規(guī)定了利用高分辨X射線衍射儀測試氮化鎵單晶襯底片晶面曲率半徑的方法。
本文件適用于化學氣相沉積及其他方法制備的氮化鎵單晶襯底片晶面曲率半徑的測試，氮化鎵外延片晶面曲率半徑的測試可參照本文件進行。GB/T 41751-2022 氮化鎵單晶襯底片晶面曲率半徑測試方法 Test method for radius of curvature of crystal plane in GaN single 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 crystal substrate wafers 2022-10-12發(fā) 布 2023-02-01實 施 驢。 噸、 國家市場監(jiān)督管理總局‘井＋－ 鎏對國家標準化管理委員會及”刀 GB/T 41751-2022 刖 言 　　本文件按照GB/T 1.1-2020《 標準化工作導則第1部分：標準化文件的結構和起草規(guī)則 》 的規(guī)定 起草 。 　　請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利 。 本文件的發(fā)布機構不承擔識別專利的責任 。 　　本文件由全國半導體設備和材料標準化技術委員會 （ SAC/TC 203） 與全國半導體設備和材料標準 化 技 術 委 員 會材 料 分 技 術 委員 會 （ SAC/TC 203/SC