本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了確定氧化層時(shí)間相關(guān)介質(zhì)擊穿(TDDB)導(dǎo)致器件特性參數(shù)退化的失效時(shí)間試驗(yàn)方法，從而進(jìn)一步評(píng)價(jià)器件在正常工作條件下因TDDB而失效的時(shí)間。
本標(biāo)準(zhǔn)適用于CMOS集成電路TDDB特性的測(cè)試。own (TDDB) 2018-01-18發(fā) 布 2018-05-01實(shí) 施 ＠ 國 家 國 防 科 技 工 業(yè) 局 發(fā) 布 SJ 21381-2018 月 I) 本標(biāo)準(zhǔn)附錄A是規(guī)范性附錄 。 本標(biāo)準(zhǔn)由工業(yè)和信息化部電子第四研究院提出 。 本標(biāo)準(zhǔn)由工業(yè)和信息化部電子第四研究院歸口 。 本標(biāo)準(zhǔn)起草單位：工業(yè)和信息化部電子第四研究院 、 西安電子科技大學(xué) 、 中國航天科技集團(tuán)公司第 九 研 究 院 第 七 七 一 研 究 所 、 北 京 燕 東 微 電 子 有W - /111 0一 中 國 電 子 科 技 集 團(tuán) 公 司 第 二 十 四 研 究 所 、 中 國 電 子科技集團(tuán)公司第五十八研究 本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人：轆萬賈翦樘 、 翅襲蓮舡衛(wèi)雇照 、 J渡攀戎二 、 彥秀 、 黃磊 、 王志寬 、 顧祥 、 歲 曉羽 、 尹航 、 廖聽 SJ 21381-2018 時(shí) 間 相 關(guān)